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Référence fabricant | MBRH200150R |
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Numéro de pièce future | FT-MBRH200150R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRH200150R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH200150R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRH200150R-FT |
IDW32G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
IDW15S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E60AFKSA1
Infineon Technologies
IDFW40E65D1EXKSA1
Infineon Technologies
D4600U45X172XPSA1
Infineon Technologies
D2700U45X122XOSA1
Infineon Technologies
D1600U45X122XPSA1
Infineon Technologies
BAW78DE6327HTSA1
Infineon Technologies
HFA15PB60PBF
Infineon Technologies
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel