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Référence fabricant | MBRH200150R |
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Numéro de pièce future | FT-MBRH200150R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRH200150R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | D-67 |
Package d'appareils du fournisseur | D-67 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRH200150R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRH200150R-FT |
IDW32G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
IDW40G65C5BXKSA2
Infineon Technologies
IDW15S120FKSA1
Infineon Technologies
IDW30E60AFKSA1
Infineon Technologies
IDFW40E65D1EXKSA1
Infineon Technologies
D4600U45X172XPSA1
Infineon Technologies
D2700U45X122XOSA1
Infineon Technologies
D1600U45X122XPSA1
Infineon Technologies
BAW78DE6327HTSA1
Infineon Technologies
HFA15PB60PBF
Infineon Technologies
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel