maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MBRF735HC0G
Référence fabricant | MBRF735HC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBRF735HC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRF735HC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF735HC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRF735HC0G-FT |
SRAF530 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF530HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF540 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF540HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF550 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF550HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF560 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF560HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF590 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SRAF590HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel