maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRF60080
Référence fabricant | MBRF60080 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRF60080 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRF60080 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 80V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 300A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 250A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 80V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | TO-244AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-244AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF60080 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRF60080-FT |
MBRF12080R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100
GeneSiC Semiconductor
MBRF200100R
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150
GeneSiC Semiconductor
MBRF200150R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200
GeneSiC Semiconductor
MBRF200200R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20020R
GeneSiC Semiconductor
MBRF20030
GeneSiC Semiconductor
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel