maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRF20200CT-JT
Référence fabricant | MBRF20200CT-JT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRF20200CT-JT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRF20200CT-JT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 890mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Package d'appareils du fournisseur | ITO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRF20200CT-JT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRF20200CT-JT-FT |
BAW156
Diodes Incorporated
BAW156-F
Diodes Incorporated
BAW56-7
Diodes Incorporated
BAW56TA
Diodes Incorporated
FLLD258TA
Diodes Incorporated
FLLD261TA
Diodes Incorporated
MMBD2004S
Diodes Incorporated
MMBD3004S-7
Diodes Incorporated
MMBD7000-7
Diodes Incorporated
SDM40E20LS-7
Diodes Incorporated
LFEC1E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-5FG256I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
APA600-CQ352M
Microsemi Corporation
5SGXEA7K1F40C2L
Intel
5SGXMA9N1F45C2N
Intel
5SEE9H40I3N
Intel
XC6VLX240T-1FFG784I
Xilinx Inc.
A42MX24-2PLG84I
Microsemi Corporation
EP20K30EQC208-1
Intel