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Référence fabricant | MBRB7H60HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB7H60HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB7H60HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 730mV @ 7.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (D2Pak) |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB7H60HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB7H60HE3/81-FT |
HFA08TB60STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15TB60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA15TB60STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TB120S
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TB120STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA16TB120STRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25TB60S
Vishay Semiconductor Diodes Division
HFA25TB60STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H100HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
MB10H90HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel