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Référence fabricant | MBRB1635-E3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB1635-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB1635-E3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 16A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 630mV @ 16A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1635-E3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB1635-E3/81-FT |
SD101C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
SD103C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148-A
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4448-A
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20DL45BP-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DL45BP-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB30100S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT5202-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB20100S-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel