maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MBRB10H90CTHE3/45
Référence fabricant | MBRB10H90CTHE3/45 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBRB10H90CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBRB10H90CTHE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 760mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3.5µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H90CTHE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB10H90CTHE3/45-FT |
FESB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel