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Référence fabricant | MBRB10H60HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB10H60HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB10H60HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 710mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10H60HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB10H60HE3/81-FT |
FESB16HTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16JTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB8CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation