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Référence fabricant | MBRB1035HE3/81 |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB1035HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB1035HE3/81 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB1035HE3/81 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB1035HE3/81-FT |
DTV32B-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16AT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16ATHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16BT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16BTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESB16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel