maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBRB10100CT-M3/8W
Référence fabricant | MBRB10100CT-M3/8W |
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Numéro de pièce future | FT-MBRB10100CT-M3/8W |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBRB10100CT-M3/8W Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBRB10100CT-M3/8W Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBRB10100CT-M3/8W-FT |
V40D120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM120C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D120CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60D45CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel