maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MBR7150 C0G
Référence fabricant | MBR7150 C0G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR7150 C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR7150 C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 7.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 7.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR7150 C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR7150 C0G-FT |
CRH01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS01(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS04(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS08(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS09(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
CRS11(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS387,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS389,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage
1SS405,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel