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Référence fabricant | MBR6035PTHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR6035PTHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR6035PTHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (TO-3P) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR6035PTHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR6035PTHC0G-FT |
SBR20A300CTB
Diodes Incorporated
SBR1040CTB
Diodes Incorporated
SBR30E45CTB
Diodes Incorporated
SBR30A45CTB
Diodes Incorporated
SBR20A200CTB
Diodes Incorporated
SBR10100CTB
Diodes Incorporated
SBR10U200CTB
Diodes Incorporated
MBRB20200CT
Diodes Incorporated
SBR20A200CTB-13
Diodes Incorporated
SBR10200CTB
Diodes Incorporated
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
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A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel