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Référence fabricant | MBR5H150VP-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR5H150VP-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR5H150VP-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 8µA @ 150V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-27 |
Température de fonctionnement - Jonction | 175°C (Max) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5H150VP-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR5H150VP-G1-FT |
SB330-T
Diodes Incorporated
SB340-T
Diodes Incorporated
SB350-T
Diodes Incorporated
SB360-T
Diodes Incorporated
SB370-T
Diodes Incorporated
SB380-T
Diodes Incorporated
SB390-T
Diodes Incorporated
SB520-T
Diodes Incorporated
SB530-T
Diodes Incorporated
SB540-T
Diodes Incorporated
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel