maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / MBR5200VPB-E1
Référence fabricant | MBR5200VPB-E1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR5200VPB-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR5200VPB-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AA, DO-27, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-27 |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR5200VPB-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR5200VPB-E1-FT |
JANTXV1N6078
Microsemi Corporation
JANTXV1N6081
Microsemi Corporation
JANTXV1N6391
Microsemi Corporation
JANTXV1N6392
Microsemi Corporation
JANTXV1N647-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N649-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620U
Microsemi Corporation
JANTXV1N6620US
Microsemi Corporation
JANTXV1N6621
Microsemi Corporation
APA450-PQ208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29I2LN
Intel
5SGXEA4K3F35C4N
Intel
XC5VLX30-3FF324C
Xilinx Inc.
XCV200-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX24-1PLG84M
Microsemi Corporation
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
EP2AGX95EF29C4N
Intel
EP3SE110F780I3N
Intel
HC20K600BC652
Intel