maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR500100CTR
Référence fabricant | MBR500100CTR |
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Numéro de pièce future | FT-MBR500100CTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR500100CTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky, Reverse Polarity |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 500A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 250A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR500100CTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR500100CTR-FT |
MBR2X030A100
GeneSiC Semiconductor
MBR2X030A045
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MBR2X050A060
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EP20K160ETC144-1X
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AGLN250V5-ZCSG81I
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XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-3PQ160
Microsemi Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
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EPF10K50VBC356-4N
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