maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR40035CT
Référence fabricant | MBR40035CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR40035CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR40035CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 400A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 700mV @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 35V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR40035CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR40035CT-FT |
FST8335M
GeneSiC Semiconductor
FST8340M
GeneSiC Semiconductor
FST8345M
GeneSiC Semiconductor
FST8360M
GeneSiC Semiconductor
FST8380M
GeneSiC Semiconductor
UFT7340M
GeneSiC Semiconductor
UFT7360M
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30020CT
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel