maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR30120CT
Référence fabricant | MBR30120CT |
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Numéro de pièce future | FT-MBR30120CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR30120CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 120V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 15A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 120V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30120CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR30120CT-FT |
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EP4CE22E22C6N
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Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
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10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
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EPF10K100EQC240-2N
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