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Référence fabricant | MBR30100CTHC0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR30100CTHC0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR30100CTHC0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 940mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30100CTHC0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR30100CTHC0G-FT |
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1602HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1604HC0G
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GP1605 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1605HC0G
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GP1606 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1606HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A42MX36-CQ256
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LCMXO3L-6900C-6BG400C
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EPF10K100EFC484-1N
Intel
5SGXEA7K2F40I2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
XC4VFX40-11FF1152I
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XC7K410T-2FFV900C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176
Microsemi Corporation
LFXP3E-4QN208C
Lattice Semiconductor Corporation