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Référence fabricant | MBR30100CT C0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR30100CT C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR30100CT C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 940mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR30100CT C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR30100CT C0G-FT |
SR20150HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
GP1603HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1601G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1602G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
HER1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10200CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-2FG676C
Xilinx Inc.
A3P250L-1VQG100
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3CQC
Microchip Technology
EP20K600CF672C7
Intel
EP4CE22E22I8L
Intel
5SGXMA5K2F35I2N
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation
10M02SCM153I7G
Intel