maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR300150CTR
Référence fabricant | MBR300150CTR |
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Numéro de pièce future | FT-MBR300150CTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR300150CTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 150A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 880mV @ 150A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR300150CTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR300150CTR-FT |
DD171N18KHPSA1
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DD260N18KHPSA1
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XA6SLX75-2FGG484Q
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A3PN125-ZVQG100
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AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
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XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel