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Référence fabricant | MBR2H100SFT3G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR2H100SFT3G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR2H100SFT3G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 2A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 2A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 40µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | SOD-123F |
Package d'appareils du fournisseur | SOD-123FL |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2H100SFT3G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR2H100SFT3G-FT |
NSVR0230P2T5G
ON Semiconductor
NSVR0230M2T5G
ON Semiconductor
NSR0130M2T5G
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NSR0140M2T5G
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NSR0230M2T5G
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RB520S30T1G
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RB521S30T5G
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NSRLL30XV2T1G
ON Semiconductor
RB521S30T1G
ON Semiconductor
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
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M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel