maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR2560CT
Référence fabricant | MBR2560CT |
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Numéro de pièce future | FT-MBR2560CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR2560CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 750mV @ 12.5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2560CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR2560CT-FT |
IDP20C65D2XKSA1
Infineon Technologies
IDP30C65D2XKSA1
Infineon Technologies
SDP20S30
Infineon Technologies
BAV99SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SH6827XTSA1
Infineon Technologies
BAS16SE6327BTSA1
Infineon Technologies
BAS16SH6727XTSA1
Infineon Technologies
BAS7004SE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256I
Microsemi Corporation
APA750-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN030-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP3C16F256C6
Intel
5SGXEA7N3F40C4N
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC6E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400C8
Intel
EP2AGZ300FF35C4N
Intel