maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR2545CT801HE3/45
Référence fabricant | MBR2545CT801HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR2545CT801HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR2545CT801HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 45V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12.5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 820mV @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 200µA @ 45V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2545CT801HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR2545CT801HE3/45-FT |
FEP6DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80
Microsemi Corporation
XC2V4000-4FF1517I
Xilinx Inc.
M1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
A1020B-1PL68I
Microsemi Corporation
10CX150YF672E6G
Intel
A54SX16A-FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC5C6F23C7N
Intel
10AX066K2F35I2SGES
Intel
EP2SGX90FF1508C3N
Intel