maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20H100CTG
Référence fabricant | MBR20H100CTG |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20H100CTG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SWITCHMODE™ |
MBR20H100CTG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 770mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 4.5µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20H100CTG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20H100CTG-FT |
SBL4060PT
Diodes Incorporated
SBL6030PT
Diodes Incorporated
SBL6040PT
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SB80W06T-H
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ON Semiconductor
FFSH10120ADN-F155
ON Semiconductor
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
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5SEE9H40I4N
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XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
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EP20K200BC356-2
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