maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR2060CTF-G1
Référence fabricant | MBR2060CTF-G1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR2060CTF-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR2060CTF-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2060CTF-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR2060CTF-G1-FT |
MBR2060CT-G1
Diodes Incorporated
SBR20E100CT
Diodes Incorporated
SDT40100CT
Diodes Incorporated
SBR60A150CT
Diodes Incorporated
SBR30200CT
Diodes Incorporated
SDT40H100CT
Diodes Incorporated
MBR10150CT-E1
Diodes Incorporated
SBR20100CT-G
Diodes Incorporated
SBR60A100CT
Diodes Incorporated
SBRT20V45CT
Diodes Incorporated
A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFE2-12E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19E2LG
Intel
EP3SL340F1760C4N
Intel
XC2VP20-5FF1152C
Xilinx Inc.
XC2V2000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-PLG84
Microsemi Corporation
LCMXO2-640HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I5N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel