maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR2060CTF-E1
Référence fabricant | MBR2060CTF-E1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR2060CTF-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR2060CTF-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 810mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2060CTF-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR2060CTF-E1-FT |
SBR60A60CT
Diodes Incorporated
MBR2060CT-G1
Diodes Incorporated
SBR20E100CT
Diodes Incorporated
SDT40100CT
Diodes Incorporated
SBR60A150CT
Diodes Incorporated
SBR30200CT
Diodes Incorporated
SDT40H100CT
Diodes Incorporated
MBR10150CT-E1
Diodes Incorporated
SBR20100CT-G
Diodes Incorporated
SBR60A100CT
Diodes Incorporated
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
XCS20XL-4TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FGG484I
Microsemi Corporation
A40MX02-2PL68
Microsemi Corporation
10M16SCU169A7G
Intel
10AX027H4F35I3LG
Intel
A42MX09-1PQ100
Microsemi Corporation
10AX057K3F40I2SG
Intel
EP3SE80F780C2
Intel