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Référence fabricant | MBR20150SCTF-E1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20150SCTF-E1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR20150SCTF-E1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220F-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20150SCTF-E1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20150SCTF-E1-FT |
SR4060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR4060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR4090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR4090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG2004PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG6005PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR2030PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR2030PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR2040PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR2040PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
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EP2AGX95EF35C6N
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