maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20100CT
Référence fabricant | MBR20100CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR20100CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR20100CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | - |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20100CT-FT |
STPS40SM100CT
STMicroelectronics
STTH1002CT
STMicroelectronics
STPS40L15CT
STMicroelectronics
STPS40L45CT
STMicroelectronics
STPS10120CT
STMicroelectronics
STPS41L60CT
STMicroelectronics
STPS30M60CT
STMicroelectronics
STPS41H100CT
STMicroelectronics
STPS40SM80CT
STMicroelectronics
STPS40M60CT
STMicroelectronics
EX128-TQ64I
Microsemi Corporation
XC2S50-5FGG256C
Xilinx Inc.
XA3S1600E-4FGG484I
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
XC7A25T-L1CPG238I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6U19C6N
Intel
5CGXFC7C7U19C8N
Intel
10AX057N2F40E2SG
Intel
EP20K1000CB652C7N
Intel
EPF10K50SQC208-3
Intel