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Référence fabricant | MBR20100CTC0 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20100CTC0 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR20100CTC0 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 20A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100CTC0 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20100CTC0-FT |
IRKD71/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/04A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/06A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/08A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKD91/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKJ166/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKJ166/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel