maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20100CT-G1
Référence fabricant | MBR20100CT-G1 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR20100CT-G1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101 |
MBR20100CT-G1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100CT-G1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20100CT-G1-FT |
MBRF30H100CTG
ON Semiconductor
VS-30CTQ040HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
STPS20200CFP
STMicroelectronics
STPS30SM80CFP
STMicroelectronics
MA3D752
Panasonic Electronic Components
20CTH03FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
30CTH02FP
Vishay Semiconductor Diodes Division
MA3D650
Panasonic Electronic Components
MA3D749
Panasonic Electronic Components
EP2C5T144I8
Intel
A1020B-2PQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484C3N
Intel
5SGXEA7K2F40I2N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
XC4028EX-3HQ208C
Xilinx Inc.
LFXP20C-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP3SE80F780C4N
Intel