maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR20100CT-1
Référence fabricant | MBR20100CT-1 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR20100CT-1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TMBS® |
MBR20100CT-1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 800mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 100V |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR20100CT-1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR20100CT-1-FT |
VS-30CTQ045-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ030-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ045-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-40CTQ150-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200C-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
10AX032H3F34I2SG
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FGG676
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U2F45I1SG
Intel
10AX115R3F40I3SGES
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel