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Référence fabricant | MBR12U100L-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MBR12U100L-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR12U100L-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 600mV @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-277, 3-PowerDFN |
Package d'appareils du fournisseur | TO-277-3 |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR12U100L-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR12U100L-TP-FT |
RGF1M-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1J-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGF1G-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1B-E3/5CA
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGF1B-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1D-E3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1GHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
GF1AHE3/67A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel