maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR120200CTR
Référence fabricant | MBR120200CTR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR120200CTR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR120200CTR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 60A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 920mV @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1mA @ 200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR120200CTR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR120200CTR-FT |
MBR400200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40060CTR
GeneSiC Semiconductor
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation