maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / MBR120100CT
Référence fabricant | MBR120100CT |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MBR120100CT |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR120100CT Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Anode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 120A (DC) |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 60A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3mA @ 20V |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | Twin Tower |
Package d'appareils du fournisseur | Twin Tower |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR120100CT Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR120100CT-FT |
MBR30030CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR30035CT
GeneSiC Semiconductor
MBR30045CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400150CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400150CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR400200CT
GeneSiC Semiconductor
MBR400200CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CT
GeneSiC Semiconductor
MBR40020CTR
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CT
GeneSiC Semiconductor
XCS05XL-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC7A50T-L1FGG484I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FG256I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-3
Intel
5SGXEABN2F45I3LN
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FFG1152I
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CPG196C
Xilinx Inc.