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Référence fabricant | MBR10H60HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR10H60HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR10H60HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 710mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR10H60HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR10H60HE3/45-FT |
BY229-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229-200HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229-600-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229-600HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229-800-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BY229-800HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459-1500-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYS459-1500SE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29-300-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYV29-300HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation