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Référence fabricant | MBR1090 C0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR1090 C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR1090 C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 90V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 850mV @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 90V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1090 C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR1090 C0G-FT |
MUR8L60HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1001G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1001GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1002GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1003G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1003GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFA1006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel