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Référence fabricant | MBR1060CT C0G |
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Numéro de pièce future | FT-MBR1060CT C0G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR1060CT C0G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 60V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 900mV @ 10A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 60V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1060CT C0G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR1060CT C0G-FT |
UGF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2004GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2005G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2006GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2007GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UGF2008G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
Intel
XC3S200-4FT256I
Xilinx Inc.
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
5SGXEABN2F45C2N
Intel
XC4010E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG1156C
Xilinx Inc.
A42MX09-PQG160M
Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
Intel
EPF10K50SQC208-3N
Intel