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Référence fabricant | MBR1035HE3/45 |
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Numéro de pièce future | FT-MBR1035HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MBR1035HE3/45 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 35V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 840mV @ 20A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 35V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR1035HE3/45 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MBR1035HE3/45-FT |
UG8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8HTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UG8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE5HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE5JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGE8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH10FT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH10JT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division