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Référence fabricant | MB85RS2MTPH-G-JNE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RS2MTPH-G-JNE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RS2MTPH-G-JNE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | 25MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-DIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS2MTPH-G-JNE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RS2MTPH-G-JNE1-FT |
93C46B/P
Microchip Technology
23A640-I/P
Microchip Technology
25C320-I/P
Microchip Technology
93AA46/P
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93LC46B/P
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24AA128-I/P
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25LC160A-I/P
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93C56-E/P
Microchip Technology
24AA64-I/P
Microchip Technology
93LC46/P
Microchip Technology
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
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EP20K100EFC324-3
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EPF8636AQC160-3N
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