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Référence fabricant | MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 |
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Numéro de pièce future | FT-MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FRAM |
La technologie | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Taille mémoire | 2Mb (256K x 8) |
Fréquence d'horloge | 40MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | SPI |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-SOP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1-FT |
W25Q16DWSSIG
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W25Q16DWSSIG TR
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W25Q16VSSIG
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W25Q32BVSSIG
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W25Q32DWSSIG
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W25Q32DWSSIG TR
Winbond Electronics
W25Q32FVSSIF
Winbond Electronics
W25Q32FVSSIF TR
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W25Q32FVSSIG
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W25Q32FVSSIG TR
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XC3S50A-5FTG256C
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XC3S1500-4FG676C
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EPF10K200SFC672-3
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LFE2-12SE-6F256I
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EP2SGX130GF40C5NES
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10AX048E2F29I1SG
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10AX016E3F27E1HG
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EP20K60EFC324-2
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