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Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Name: MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Brand: Fujitsu Electronics America, Inc.
SKU: MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (311 reviews)

Numéro de pièce MFG: MB85R256GPF-G-BND-ERE1

quantité disponible: 28450 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Fujitsu Electronics America, Inc.

Brève description: - IC FRAM 256K PARALLEL 28SOP

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Mémoire

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: MB85R256GPF-G-BND-ERE1.pdf

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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Caractéristiques

Référence fabricant	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Numéro de pièce future	FT-MB85R256GPF-G-BND-ERE1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de mémoire	Non-Volatile
Format de mémoire	FRAM
La technologie	FRAM (Ferroelectric RAM)
Taille mémoire	256Kb (32K x 8)
Fréquence d'horloge	-
Ecrire le temps de cycle - Word, Page	150ns
Temps d'accès	150ns
Interface mémoire	Parallel
Tension - Alimentation	2.7V ~ 3.6V
Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage	-
Paquet / caisse	-
Package d'appareils du fournisseur	-
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	MB85R256GPF-G-BND-ERE1-FT

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