Référence fabricant | MB6S-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MB6S-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB6S-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 400mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 600V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-269AA, 4-BESOP |
Package d'appareils du fournisseur | MBS-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB6S-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB6S-TP-FT |
TS25P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel