Référence fabricant | MB1S-TP |
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Numéro de pièce future | FT-MB1S-TP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB1S-TP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 500mA |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1V @ 400mA |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-269AA, 4-BESOP |
Package d'appareils du fournisseur | MBS-1 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB1S-TP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB1S-TP-FT |
TS25P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS25P07GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P05G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS35P06GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS40P05G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel