Référence fabricant | MB102 |
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Numéro de pièce future | FT-MB102 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB102 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, BR-6 |
Package d'appareils du fournisseur | BR-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB102 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB102-FT |
APTDF200H60G
Microsemi Corporation
APTDC40H601G
Microsemi Corporation
APTDC40H1201G
Microsemi Corporation
803-2
Microsemi Corporation
680-6
Microsemi Corporation
W10M-BP
Micro Commercial Co
W08M-BP
Micro Commercial Co
W06M-BP
Micro Commercial Co
W04M-BP
Micro Commercial Co
W02M-BP
Micro Commercial Co
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel