maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MB1010-BP
Référence fabricant | MB1010-BP |
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Numéro de pièce future | FT-MB1010-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB1010-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 1kV |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 1000V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, BR-6 |
Package d'appareils du fournisseur | BR-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB1010-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB1010-BP-FT |
APTDF60H1201G
Microsemi Corporation
APTDF200H60G
Microsemi Corporation
APTDC40H601G
Microsemi Corporation
APTDC40H1201G
Microsemi Corporation
803-2
Microsemi Corporation
680-6
Microsemi Corporation
W10M-BP
Micro Commercial Co
W08M-BP
Micro Commercial Co
W06M-BP
Micro Commercial Co
W04M-BP
Micro Commercial Co
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel