maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Ponts redresseurs / MB101-BP
Référence fabricant | MB101-BP |
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Numéro de pièce future | FT-MB101-BP |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MB101-BP Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Single Phase |
La technologie | Standard |
Tension - Inverse de crête (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 5A |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 100V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 4-Square, BR-6 |
Package d'appareils du fournisseur | BR-6 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MB101-BP Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MB101-BP-FT |
MSD100-08
Microsemi Corporation
APTDR90X1601G
Microsemi Corporation
APTDF60H1201G
Microsemi Corporation
APTDF200H60G
Microsemi Corporation
APTDC40H601G
Microsemi Corporation
APTDC40H1201G
Microsemi Corporation
803-2
Microsemi Corporation
680-6
Microsemi Corporation
W10M-BP
Micro Commercial Co
W08M-BP
Micro Commercial Co
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
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10AX115R2F40E2SG
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EP20K200EBC356-2X
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EP1K10QC208-2N
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