maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMLJ8.5A/TR
Référence fabricant | MASMLJ8.5A/TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MASMLJ8.5A/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ8.5A/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.5V |
Tension - Panne (Min) | 9.44V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 208.4A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMLJ (DO-214AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ8.5A/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMLJ8.5A/TR-FT |
1N6172US
Semtech Corporation
1N6173
Semtech Corporation
1N6173A
Semtech Corporation
1N6173AUS
Semtech Corporation
1N6173US
Semtech Corporation
1N6274AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6295AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6298AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6300AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6301AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4013XL-09HT144C
Xilinx Inc.
LCMXO256C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE15F17C6N
Intel
EP1K30FC256-1N
Intel
XC5VLX155T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP10C-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP3SL150F780I3N
Intel