maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMLJ8.5A/TR
Référence fabricant | MASMLJ8.5A/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MASMLJ8.5A/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ8.5A/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 8.5V |
Tension - Panne (Min) | 9.44V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 14.4V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 208.4A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMLJ (DO-214AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ8.5A/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMLJ8.5A/TR-FT |
1N6172US
Semtech Corporation
1N6173
Semtech Corporation
1N6173A
Semtech Corporation
1N6173AUS
Semtech Corporation
1N6173US
Semtech Corporation
1N6274AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6295AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6298AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6300AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6301AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-4FG456C
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FG256
Microsemi Corporation
MPF100TS-FCVG484I
Microsemi Corporation
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMBBR3H43C2N
Intel
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation