maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMLJ85AE3/TR
Référence fabricant | MASMLJ85AE3/TR |
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Numéro de pièce future | FT-MASMLJ85AE3/TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ85AE3/TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 85V |
Tension - Panne (Min) | 94.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 137V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 20.8A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | SMLJ (DO-214AB) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ85AE3/TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMLJ85AE3/TR-FT |
1N6173
Semtech Corporation
1N6173A
Semtech Corporation
1N6173AUS
Semtech Corporation
1N6173US
Semtech Corporation
1N6274AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6295AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6298AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6300AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6301AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6302AHE3_A/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200HC-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P600-1FG256
Microsemi Corporation
M1AGL1000V5-FG256
Microsemi Corporation
A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP1S10B672C7
Intel
5SGXEA9N3F45C2L
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-11FFG672C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
A42MX24-2TQ176I
Microsemi Corporation