maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMLJ160AE3
Référence fabricant | MASMLJ160AE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MASMLJ160AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMLJ160AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 160V |
Tension - Panne (Min) | 178V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 259V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 11.6A |
Puissance - Peak Pulse | 3000W (3kW) |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AB, SMC |
Package d'appareils du fournisseur | DO-214AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMLJ160AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMLJ160AE3-FT |
MASMCJLCE12A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE12AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE130A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE130AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE13A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE13AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE14A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE14AE3
Microsemi Corporation
MASMCJLCE150A
Microsemi Corporation
MASMCJLCE150AE3
Microsemi Corporation
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XC3S1000-4FG320C
Xilinx Inc.
A40MX02-2PLG68
Microsemi Corporation
A3PN125-Z1VQ100
Microsemi Corporation
EP3SE50F484I3N
Intel
LFXP2-8E-5FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N4F45E3LG
Intel
10AX032E2F27I1HG
Intel