maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MASMBJ5.0AE3
Référence fabricant | MASMBJ5.0AE3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-MASMBJ5.0AE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MASMBJ5.0AE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | 1 |
Canaux bidirectionnels | - |
Tension - Entretoise inversée (type) | 5V |
Tension - Panne (Min) | 6.4V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 9.2V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 65.2A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MASMBJ5.0AE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MASMBJ5.0AE3-FT |
MASMBJ120AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ120CA
Microsemi Corporation
MASMBJ120CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ12A
Microsemi Corporation
MASMBJ12AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ12CAE3
Microsemi Corporation
MASMBJ130A
Microsemi Corporation
MASMBJ130AE3
Microsemi Corporation
MASMBJ130CA
Microsemi Corporation
MASMBJ130CAE3
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
Intel
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
Intel
EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation